高频整流选型不仅取决于器件数据表，还需要结合具体拓扑、温度、负载和 EMI 要求做全面评估。许多现场问题，如温升过高、波形畸变、效率偏低，根本原因往往是二极管不适配高频整流。下面从工程实战角度分析高频整流应该使用哪些二极管，并给出典型场景推荐。

一、高频整流对二极管的核心要求
真正影响高频整流质量的参数包括：
反向恢复时间 trr
反向恢复电荷 Qrr
正向压降 VF
反向漏电 IR
最大工作结温 Tj
浪涌电流 IFSM
输出纹波、EMI 以及波形完整性
高频条件下，trr/Qrr 决定能否高效整流，而 VF 与漏电决定能否保持合理温升与系统效率。

二、不同类型二极管在高频下的实际表现
1. 快恢复二极管（FRD）：中频应用的均衡选项
优点：耐压多、成本低、抗浪涌能力强
适用：40–150kHz
缺点：trr 仍高于肖特基，EMI 相对大
如果目标是成本可控又能满足高频，那 FRD 是性价比最好选择。
2. 超快恢复二极管（UFRD/ERD）：效率更高，适用于中高频
trr 超低（30–75ns）
用于 100–300kHz 整流很理想
EMI 比 FRD 小，功耗更低
适合：
高频 PWM 整流
高频反激的次级整流
中压（200–600V）环境
3. 肖特基二极管：高频整流低压领域的王者
肖特基二极管几乎是所有低压高频整流的首选：
无反向恢复
VF 低，发热少
高频效率极高
典型应用：
Buck、Boost、Buck-Boost
高频 DC-DC
低压反激输出整流
如果输出电压在 5V、12V、24V，肖特基几乎是绝对最佳选择。
4. SiC 二极管：高压高频整流的终极方案
SiC 二极管性能远超硅器件：
高压、高温、高频同时满足
几乎无反向恢复
非常低的损耗
EMI 极佳
用于：
PFC
LLC 谐振
EV 充电器
大功率高频逆变器
虽然贵，但高效、高可靠、温升低，可以减少散热器体积与系统损耗，整体成本未必高。

三、高频整流常见拓扑的推荐用管


四、FAE 实战选型流程（强烈推荐）
确定电压与频率
→ 先决定类别：Schottky / UFRD / SiC。
评估功耗（VF × Iavg）
→ 判断器件是否会过热。
评估反向恢复波形
→ 若尖峰大，改用 UFRD 或 SiC。
评估漏电
→ 肖特基在 120℃ 时漏电上升，需注意。
选择合适封装与 PCB 散热设计
→ 高频大电流建议用 DFN、TO-220、TO-247。
实测波形与结温
→ 振荡、尖峰或温度异常则需更换更高等级器件。

五、MDD FAE 总结参考：高频整流最佳器件组合
按性能排序如下：
低压高频：肖特基 > 超快恢复 > 快恢复
高压高频：SiC > 超快恢复 > 快恢复
如果要效率、温升和 EMI 最优：
低压 → 肖特基
高压 → SiC
预算有限 → 超快恢复