在复杂系统如电动车 BMS、电机控制器或储能逆变系统中，MDD辰达半导体的MOSFET数量多、工作频率高、并联结构复杂，单一失效可能引发整机故障。此类应用中，FAE需以系统级视角，快速判断失效来源并指导客户恢复。

一、系统级MOS常见故障现象
充放电端不导通：主MOS开路或驱动电压不足；
过流保护频繁误触发：MOS内阻变大、采样漂移；
过温报警或单颗温升异常：热分布不均或并联电流失衡；
整车无法上电/继电器抖动：MOS短路或驱动死锁；
高频噪声、波形畸变：栅极回路或地线寄生干扰。

二、系统级快速定位流程
1、区分电气层级
先确定故障位于：
驱动级（MOS驱动芯片、栅极信号异常），
功率级（MOS本体、并联结构、散热），
采样级（电流检测或保护信号错误）。
2、局部隔离测试
断开负载端，仅通低压（如12V）验证开关动作；
测栅极波形：是否正常翻转、上升时间是否<200ns；
若栅极正常但MOS无响应，判断为本体失效；
若栅极无信号，则追查驱动IC及PWM路径。
3、热像分析与对比
使用热成像仪观察并联MOS阵列的温度一致性。
温度偏高 = 阻值增大或焊接不良。
温度偏低 = 已开路或驱动未导通。

三、常见根因与修复对策


四、FAE诊断经验
用“正常通道”作参考对比：同电路下不同通道波形对比可快速定位问题点；
优先查驱动与地参考一致性：不同地电位往往导致MOS误导通；
用红外热成像代替繁琐测温：几秒即可识别异常MOS；
失效件解剖：若为批量问题，应配合实验室做FA（Failure Analysis）判断是否工艺或应用应力问题。


MOSFET 在系统中的故障诊断，不应仅停留在“哪颗烧了”，而应建立完整的因果链：
“驱动信号 → 栅极响应 → 功率路径 → 热反馈”。
FAE 在现场支持时，若能快速通过“波形+温度+对比”三要素分析问题，通常能在一小时内锁定故障根因，为客户提供既准确又具实操性的修复建议。