在BMS（电池管理系统）中，MDD辰达半导体 MOSFET 的导通电阻不仅决定能量损耗，更是系统热设计和长期可靠性的关键参数。MDD FAE在分析现场失效案例时发现，MOS热失控、保护误触发、SOC偏差往往都与R<sub>DS(on)</sub> 有直接关联。

一、导通电阻对热分布的影响
R<sub>DS(on)</sub> 是影响MOS发热的核心因素之一。
其功率损耗 P = I² × R<sub>DS(on)</sub>，热量随电流平方增加。
在高倍率电池放电场景中，如动力电池包或储能模块，放电电流往往超过100A。若每颗MOS的导通电阻差异仅为1mΩ，温升差可能高达10℃以上，导致某一颗MOS提前进入热饱和状态。
FAE现场经验：
多颗MOS并联的BMS中，因R<sub>DS(on)</sub> 不均导致“电流偏流”；
热分布不均使部分MOS长期处于高温，触发热击穿或焊盘脱层。

二、热反馈效应与可靠性隐患
MOS的导通电阻具有正温度系数：温度越高，R<sub>DS(on)</sub> 越大。
这意味着当某一颗MOS发热较多时，其阻值上升、电流反而减小，看似能自动均流。但在动态工况下，若PCB散热不均或某颗器件封装导热差，热反馈无法及时平衡，仍会导致热失衡。
FAE建议：
优化铜箔厚度与热流路径，MOS间保持等热环境；
并联使用时建议R<sub>DS(on)</sub> ≤ 2mΩ 并控制差异 <10%。

三、温升对系统性能的二次影响
温度上升不仅导致MOS导通电阻增大，还可能影响BMS的电流采样与保护阈值。
例如，过流检测通常基于MOS两端电压差，如果R<sub>DS(on)</sub> 因温升增加，会误触发过流保护，使系统误判为故障关断。
此外，导通电阻上升还会降低系统能量利用率，表现为充电效率下降、放电容量减小。
FAE建议：
对高功率BMS，应在系统校准时引入“温度-电阻”补偿模型；
在PCB布局中为MOS增加温度检测点，以动态调节保护阈值。

四、MOS封装与散热策略
在BMS设计中，MOSFET多采用 TO-220、TO-247 或 DFN8×8 等封装。散热效果差异极大。
FAE推荐做法：
高频高电流应用优先采用 低R<sub>DS(on)</sub>、金属底散热封装（如LFPAK或D²PAK）；
对于大功率场合，可采用铜基板或铝基板转热；
热界面材料（导热硅脂/导热垫）应保证长期稳定，不可过厚或老化。

五、MDD FAE总结
MOS导通电阻对BMS性能的影响是多维度的：
电效率维度：R<sub>DS(on)</sub> 决定能耗与热损；
测量精度维度：压降影响采样误差；
热可靠性维度：温升影响寿命与保护动作。
FAE最终建议：
选型时同时关注 R<sub>DS(on)</sub>、Q<sub>g</sub>、T<sub>j(max)</sub> 三项指标；
在系统测试中验证电流分配与温度分布均衡性；
对量产BMS，建议引入动态电阻监测机制，实现自适应补偿。