在高频开关电源、DC/DC 模块、适配器、服务器电源等领域，整流器件的选择直接影响效率、热设计和成本。过去，MDD肖特基二极管 几乎是中低压高效整流的首选。然而，随着 MOSFET 性能提升、驱动 IC 成本下降，同步整流在效率和发热控制上的优势越来越明显，两者在多个功率段开始直接竞争。FAE 在做方案支持时，必须帮助客户在性能、成本、体积等方面找到最佳平衡。

二、肖特基二极管的优势与局限
优势
简单易用：不需要驱动电路和复杂控制逻辑，接入即用。
开关速度快：反向恢复时间极短（接近零），特别适合高频应用。
成本低：中低压段（≤200V）成本远低于 SR 方案。
可靠性高：无驱动失效风险，抗 EMI 性能好。
局限
正向压降（VF）固有损耗：硅 SBD 约 0.30.5V，SiC SBD 约 0.81.2V，高电流时发热显著。
反向漏电流大：高温下反向漏电流急剧上升，影响高温效率与可靠性。
高压器件成本高：尤其是 600V 以上的 SiC SBD，单价高于 MOSFET+驱动方案。

三、同步整流的优势与挑战
优势
极低导通损耗：MOSFET 的导通电阻（RDS(on)）低至几毫欧，低压大电流时效率优势明显。
可在高电流下保持低温升：发热主要由 I²R 损耗决定，热设计更轻松。
电压范围可灵活设计：通过选 MOSFET 型号可覆盖宽电压段需求。
挑战
控制电路复杂：需要精确驱动，避免误导通导致直通（Shoot-through）。
高频性能依赖驱动：驱动延迟、死区时间控制不当会降低效率。
成本敏感：MOSFET+驱动 IC+外围电路的总成本高于单颗 SBD（尤其在低功率场景）。

四、典型应用场景的竞争格局

趋势：
低压大电流（<40V, >10A）：SR 基本碾压 SBD。
中高压中功率（100V300V, 50W200W）：两者竞争激烈，成本是关键。
高压高功率（>600V）：SiC SBD 与 SR 在不同拓扑中各有市场。

五、FAE 选型与优化建议
功率段判断：
<30W：优先 SBD，降低 BOM 成本。
30~150W：视散热条件与效率要求选择，有良好散热可用 SBD，否则考虑 SR。
150W：多数情况下 SR 更优，除非用 SiC SBD 在高压高温场景。
温度与散热条件：
高温环境（>125℃）：注意 SBD 漏电流和 VF 温升，SR 更稳。
散热受限时：SR 优势明显。
可靠性优先 vs 成本优先：
工业/车规：可靠性优先，建议冗余设计，可考虑 SR。
消费类电子：成本优先，可优先 SBD。
混合方案：
在部分 LLC、PSFB 拓扑中，可采用 SR+SBD 混合整流，兼顾低损耗与反向耐压。


SBD 与 SR 的竞争，本质是 效率、成本、可靠性三者的平衡。在中低功率、对成本敏感的产品中，SBD 依然有稳固市场；在高效率、低温升和高功率密度为主导的应用中，SR 已成为主流。FAE 在支持客户时，应基于功率段、热设计余量、EMI 要求和目标成本做综合判断，并为客户预留器件替换的可能性，以应对未来产品升级与成本波动。