在高频、高压或快速切换的电源系统中，MDD辰达半导体的超快恢复二极管因其反向恢复时间（Trr）短、开关速度快，被广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC变换器和电机驱动等电路。然而，设备在通电、负载突变或异常工况下容易出现浪涌电流（Inrush Current）现象，这对超快恢复二极管提出了严峻挑战。若未进行充分的浪涌电流管理，极易导致器件性能劣化、热击穿乃至彻底失效。本文将系统解析浪涌电流对超快恢复二极管的损伤机理、典型场景及工程防护策略，助力工程师提升设计可靠性。

一、浪涌电流对器件的危害
浪涌电流是指短时间内出现的远大于额定工作电流的冲击电流。超快恢复二极管通常用于承受高速电压变化，内部结温上升速度快，热容量相对有限，因此对瞬时大电流极为敏感。
当浪涌电流冲击器件时，主要产生以下几类损伤：
结温骤升：浪涌电流通过PN结产生大量瞬时热量，可能导致结温超过最大允许值（Tj_max），造成硅芯片热击穿。
焊接材料疲劳：芯片与引线框架间的焊点或银胶在高温急冷过程中反复应力疲劳，导致内部开路或接触不良。
封装裂纹：塑封体热膨胀不均可能引发器件开裂，尤其在大电流高温冲击下更为显著。
反向恢复损伤加剧：器件处于导通恢复过程中，若遭遇浪涌电流，反向恢复电流（Irr）将急剧上升，放大dv/dt应力，提升反向雪崩风险。

二、典型应用场景中的浪涌挑战
DC输入电容初次充电：如开关电源通电瞬间，大容量电解电容充电形成短路效应，浪涌电流高达额定电流的10倍以上。
电机驱动瞬时负载变化：电动工具或EV控制器快速加减速过程中，电感反电动势突变，形成异常电流峰值。
继电器接触抖动或负载短路：误操作或故障情况下二极管暴露在异常电流冲击下，极易导致器件过热失效。


三、防护策略与设计建议
为提升超快恢复二极管的抗浪涌能力，应从器件选型、电路结构与热管理三方面综合优化：
器件选型优化
选择具备高浪涌耐量（IFSM）参数的型号，确认浪涌能力＞最大系统冲击电流；
注意平均正向电流（IF(AV)）与最大结温（Tj_max）匹配，适当冗余设计；
选用浪涌耐量更强的外延型结构或合适的钝化工艺芯片。
电路设计提升
在输入端并联NTC热敏电阻或浪涌限制器，缓解电容充电带来的冲击电流；
在二极管并联TVS或RC吸收网络，提高浪涌抑制与浪涌响应速度；
多管并联分担浪涌负荷时，需匹配分流电阻或进行温度、布局优化，避免电流集中。
热设计强化
优化铜箔散热、加装铝基板或散热片，提升器件热扩散能力；
使用热仿真工具评估浪涌期间瞬态热阻（Zth）变化；
留有足够安全余量，降低热累积风险，避免在Tj高位运行。

MDD辰达半导体的超快恢复二极管作为高速整流的核心器件，在浪涌电流冲击下存在严重失效风险。FAE在设计支持过程中，应协助客户评估浪涌场景、识别风险点，并结合器件特性和系统需求进行多维度优化设计，从而实现系统稳定性与器件寿命的双赢。在实际选型与验证中，不妨配合浪涌测试仪或热电耦数据采集系统进行联合测试，为终端产品提供更加坚实的电力保障。