——FAE实用选型指南

MDD肖特基二极管凭借低正向压降、快速开关特性，在电源整流、反向保护、续流等应用中发挥着重要作用。但在不同应用场景中，如何正确选择肖特基二极管，尤其是在耐压、正向压降与功率损耗之间权衡，是每位工程师绕不开的课题。以下将从三个核心参数出发，解析实际应用中的选型关键。
1.耐压（Reverse Voltage,VR）是安全基础
肖特基二极管的反向击穿电压通常比普通整流管低，一般在20V-150V之间。选型时必须确保其反向耐压高于最大工作电压的1.2-1.5倍，为系统留足裕量。例如，在12V电源系统中，建议选择VR≥20V的肖特基型号；而在24V或48V系统中，应考虑40V~100V级别的器件，避免因电网尖峰或反向浪涌导致器件击穿。
2.正向压降（VF）与系统效率密切相关
正向压降是肖特基的最大优势之一，通常在0.2V~0.5V之间。压降越低，导通损耗越小，尤其在大电流应用中差异显著。例如，在5A工作电流下，VF为0.3V与0.5V的器件导通损耗相差1W，长期运行将直接影响系统热设计与能效表现。因此，在满足耐压需求的前提下，应尽量选择VF更低的器件，尤其在低压高电流的DC-DC转换器、USB供电等场合尤为关键。
3.功率损耗评估：综合导通与漏电流因素

功率损耗主要来源于两方面：一是导通时的功率

，二是高温下反向漏电流导致的损耗，尤其在高压高温环境下不可忽视。对于高频或长时间通电设备，选用具备低漏电流特性的肖特基产品尤为重要。此外，应关注封装热阻与最大结温，确保热能可有效释放，避免热失控。
-性能与可靠性的平衡之道-
正确选择MDD肖特基二极管，需要在耐压、正向压降与功率损耗之间找到最优平衡点。工程师在选型时，不仅要参考静态参数，更应结合工作电压、电流、频率及热环境综合评估，确保器件既高效又稳定。通过合理匹配型号，才能让肖特基的“高效率”真正落地于系统可靠运行之中。