MDD肖特基二极管（Schottky Diode）因其低正向压降与快速开关能力，在高效整流、开关电源、快充、电机驱动等场合中广泛应用。然而，相较于普通硅PN结二极管，肖特基结构的一个固有“短板”就是其反向漏电流（Reverse Leakage Current）较大，这在某些低功耗或高温环境下可能成为能效和稳定性的瓶颈。

一、什么是反向漏电流？
当二极管处于反向偏置状态时，理想情况下应处于截止状态，不导通，但实际中仍有少量电流从阴极流向阳极，这就是“反向漏电流”，记作IR。对于肖特基二极管，这个漏电流不是因为少数载流子扩散，而是由于金属-半导体结在反向偏置下形成较低势垒，导致电子从金属注入半导体。
二、肖特基二极管为何漏电流更高？
结构决定性能：PN结二极管的耗尽区厚、势垒高，漏电流通常在纳安级，而肖特基势垒较低，导致漏电流可达微安至毫安级，尤其在高温下指数增长。
工艺材料限制：为追求低VF，肖特基常用低势垒金属材料，这也间接提升了漏电特性。
高温影响显著：肖特基管的漏电流对结温极为敏感，温度每升高10°C，IR可能增加一倍甚至更多。
三、漏电流带来的问题
待机损耗升高：在电源系统中，肖特基的高漏电可能导致待机电流无法满足节能需求。
热失控风险：在高温环境下，如果漏电电流进一步加剧，器件可能因自身发热而失控。
电路误动作：在检测电流或电压的小信号场合，漏电流可能引入误差或误动作。
四、降低漏电流的工程策略
选择高势垒肖特基管：如选用1.0V势垒的肖特基器件，相较于0.4~0.6V势垒的器件可显著降低IR，适用于对效率与漏电平衡敏感的系统。
优化封装与散热设计：降低结温即降低IR，例如在高电流系统中使用TO-220、DPAK等封装，并加散热片，有助于抑制温升。
串接限流电阻或保护电路：在电路中加入小电阻限制漏电电流流通区域，有助于减少其功耗影响。
考虑使用替代器件：在对漏电敏感场合，可考虑使用超快恢复二极管（FRD）或SiC肖特基二极管，后者在高压与高温下表现出更低的IR特性。
所以，虽然MDD肖特基二极管的反向漏电流是其固有特性之一，但通过合理选型、优化热管理和电路设计，完全可以将其带来的功耗和稳定性问题控制在可接受范围内。作为FAE，我们建议工程师在设计初期评估漏电电流对系统的影响，尤其是在高温与待机电流敏感型应用中，将IR作为一个关键参数进行权衡与控制。